A Samsung inaugurou nesta sexta-feira, 19, um novo complexo de pesquisa e desenvolvimento de semicondutores dentro do seu campus na cidade de Giheung, na Coreia do Sul. O objetivo é ampliar sua atuação na fabricação de semicondutores de última geração. Até 2028, a companhia planeja investir 20 trilhões de wons (aproximadamente US$ 15 bilhões) no projeto.
Com aproximadamente 109 mil metros quadrados, a instalação abrigará pesquisas avançadas em dispositivos e processos da próxima geração para memória e sistemas de semicondutores. O complexo também servirá para criação de novas tecnologias que requerem um longo prazo para desenvolvimento.
O campus no qual a instalação foi inaugurada é onde foi criada a primeira memória DRAM de 64 MB pela Samsung, em 1992, um marco para a companhia. Com o investimento no novo complexo, a empresa espera superar os limites atuais de dimensionamento de semicondutores e se manter entre as líderes do mercado.
O novo local deve se juntar ao centro de pesquisa e desenvolvimento em Hwaseong e o maior complexo de produção de semicondutores da companhia, em Pyeongtaek, para formar um hub na criação de semicondutores pela empresa sul-coreana.
